منتدى الهندسة الكهربية - الدارات الإلكترونية

[CENTER][B][F**T=Simplified Arabic]الدارات الإلكترونية[/F**T][/B][/CENTER]
[B][F**T=Simplified Arabic] [/F**T][/B]
[F**T=Simplified Arabic]تعد الدارات الإلكترونية [/F**T]electr**ic circuits[F**T=Simplified Arabic] أساس النظم الإلكترونية التي تستخدم في مجالات هندسية شتى مثل [URL="http://www.arab-ency.com/index.php?module=pnEncyclopedia&func=display_term&id=3248&vid=17"]التحكم[/URL] والقياس ومعالجة الإشارة. ويعد الثنائي ذو الوصلة والترانزيستور الوسيلتين الفعالتين الأساسيتين في تركيب أي دارة إلكترونية.[/F**T]
[B][F**T=Simplified Arabic]ثنائي الوصلة [/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] الديود [/F**T]PN juncti**-diode[/B]
[IMG]http://www.arab-ency.com/servers/gallery/4989-6.jpg[/IMG] [CENTER][B][F**T=Simplified Arabic]الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic]([/F**T][F**T=Simplified Arabic]1[/F**T][F**T=Simplified Arabic])[/F**T][/B][/CENTER]
[F**T=Simplified Arabic]في بداية اكتشاف [URL="http://www.arab-ency.com/index.php?module=pnEncyclopedia&func=display_term&id=408&vid=17"]أنصاف النواقل[/URL] [/F**T]semic**ductors[F**T=Simplified Arabic] مثل مادتي الجرمانيوم والسيليكون، وقبل الاكتشاف المخبري للترانزيستورات، كانت هناك العديد من المشاكل التي يجب التغلب عليها لصناعة هذه الثنائيات. استطاع المهندسون في منتصف الخمسينات حل معظم النقاط الحرجة لهذه المشكلات، والدخول بشكل فعال في تكنولوجيا الأجسام الصلبة [/F**T]solid-state[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]يتشكل الثنائي من منطقتين متجاورتين من النوع [/F**T]p,n[F**T=Simplified Arabic] . تكون المنطقة [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic] مليئة بالشحنات السالبة (إلكترونات [/F**T]electr**s[F**T=Simplified Arabic])، والمنطقة [/F**T]p[F**T=Simplified Arabic] مليئة بالشحنات الموجبة (ثقوب [/F**T]holes[F**T=Simplified Arabic])، يفصل بين المنطقتين منطقة خالية من الشحنات تدعى بالمنطقة المحرمة أو الخالية [/F**T]deplati** regi**[F**T=Simplified Arabic]، كما في الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic]([/F**T][F**T=Simplified Arabic]1[/F**T][F**T=Simplified Arabic])[/F**T][F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]بتطبيق انحياز(جهد مستمر) أمامي كما في الشكل [/F**T][F**T=Simplified Arabic](2)[/F**T][F**T=Simplified Arabic]، أي وصل النهاية الموجبة للمنبع المستمر إلى الطرف [/F**T]p[F**T=Simplified Arabic] للثنائي، والنهاية السالبة للمنبع إلى الطرف [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic] يمكن للتيار أن يمر داخل الثنائي. من جهة أخرى فإن تطبيق انحياز عكسي كما في الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic](3)[/F**T][F**T=Simplified Arabic]، أي وصل النهاية الموجبة للمنبع إلى الطرف [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic] للثنائي والنهاية السالبة إلى الطرف [/F**T]p[F**T=Simplified Arabic] يمنع التيار من المرور عبر الثنائي.[/F**T]
[CENTER][IMG]http://www.arab-ency.com/servers/gallery/4989-7.jpg[/IMG] [IMG]http://www.arab-ency.com/servers/gallery/4989-4.jpg[/IMG] [CENTER][B][F**T=Simplified Arabic]الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic](2)[/F**T][/B][/CENTER]
[CENTER][B][F**T=Simplified Arabic]الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic](3)[/F**T][/B][/CENTER]
[/CENTER]
[F**T=Simplified Arabic] لذا يستخدم الثنائي [/F**T]PN[F**T=Simplified Arabic] في تطبيقات عدة من أكثرها شيوعاً تقويم التيار المتناوب، أي السماح للتيار بالمرور باتجاه ومنعه من المرور بالاتجاه المعاكس.[/F**T]
[B][F**T=Simplified Arabic]الترانزيستورات [/F**T]transistors[/B]
[F**T=Simplified Arabic]هناك نوعان ر[/F**T][F**T=Simplified Arabic]ئيسان[/F**T][F**T=Simplified Arabic] منه هما: الترانزيستور ثنائي القطبية ذو الوصلة [/F**T]bipolar juncti** transistor (BJT)[F**T=Simplified Arabic]، والت[/F**T][F**T=Simplified Arabic]ــ[/F**T][F**T=Simplified Arabic]رانزيستور ذو التأثير الحقلي[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T]field effect transistor (FET)[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]تصنف مجالات عمل هذه الترانزيستورات وفق أنماط ثلاثة:[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]1[/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] مضخم [/F**T]amplifier[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]2[/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] قاطع إلكتروني [/F**T]electr**ic switch[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]3[/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] مقاومة محكومة [/F**T]c**trolled resistance[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]وفيما يأتي شرح موجز لنشوء هذه الأنماط وتركيبها ومجال عملها في الأنظمة الإلكترونية.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic] أ ـ الترانزيستور ثنائي القطبية ذو الوصلة [/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic]: تم اكتشاف النموذج البدائي لهذا الترانزيستور في الخمسينيات، إلا أن التطوير النهائي والمعروف في الوقت الحاضر تحقق في عام 1956 على أيدي الباحثين باردن [/F**T]Barden[F**T=Simplified Arabic] وبراتن [/F**T]Brattain[F**T=Simplified Arabic] وشوكلي [/F**T]Shockley[F**T=Simplified Arabic] الذين حازوا جائزة نوبل في الفيزياء نتيجة لابتكارهم وتطويرهم لهذه الوسيلة الإلكترونية.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]يتشكل الترانزيستور [/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic] من بلورة من السيليكون [/F**T]silic**[F**T=Simplified Arabic] (أو[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T][F**T=Simplified Arabic]الجرمانيوم). تستخدم طريقة تقنية في شروط حرارية مناسبة لوضع طبقة من السيليكون نوع [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic] بين طبقتين من السيليكون نوع [/F**T]p[F**T=Simplified Arabic]، ليحصل بذلك على ترانزيستور من النوع [/F**T]pnp[F**T=Simplified Arabic]، أو وضع طبقة من النوع [/F**T]p[F**T=Simplified Arabic] بين طبقتين من النوع [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic]، فنحصل على ترانزيستور نوع [/F**T]npn[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]يبين الشكل 4-أ البنية الأساسية لأحد أنواع الترانزيستورات ذات البنية المتكاملة، بينما يبين الشكلان 4 [/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] ب، جـ شكلًا مبسطاً لكلا النوعين [/F**T]npn,pnp[F**T=Simplified Arabic]. ويظهر في الشكلين 5 [/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] أ، ب الرمزان الكهربائيان لهذين النوعين من الترانزيستورات.[/F**T]
[CENTER] [CENTER][IMG]http://www.arab-ency.com/servers/gallery/4989-2.jpg[/IMG][/CENTER]
[IMG]http://www.arab-ency.com/servers/gallery/4989-3.jpg[/IMG][CENTER][B][F**T=Simplified Arabic]الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic]([/F**T][F**T=Simplified Arabic]4[/F**T][F**T=Simplified Arabic])[/F**T][/B][/CENTER]
[CENTER][B][F**T=Simplified Arabic]الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic]([/F**T][F**T=Simplified Arabic]5[/F**T][F**T=Simplified Arabic])[/F**T][/B][/CENTER]
[/CENTER]
[F**T=Simplified Arabic]تدعى أطراف الترانزيستور الثلاثة: الباعث [/F**T]emitter[F**T=Simplified Arabic]، والقاعدة [/F**T]base[F**T=Simplified Arabic]، والمجمّع [/F**T]collector[F**T=Simplified Arabic]. يستخدم في الرمز الكهربائي للترانزيستور سهم على طرف الباعث يدل على اتجاه مرور التيار المستمر. ويكون اتجاه السهم إلى داخل الترانزيستور في النوع[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T]pnp[F**T=Simplified Arabic]، وخارجاً منه في النوع[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T]npn[F**T=Simplified Arabic]. وتكون كثافة حوامل الشحنات في منطقة الباعث مرتفعة، بينما تكون سماكة منطقة القاعدة رقيقة، ويكون سطح منطقة المجمع عريضاً ليكون استقباله للشحنات المنطلقة من منطقة الباعث أكثر فاعلية.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]لكي يعمل الترانزيستور [/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic] عمل مضخم يجب تطبيق جهد انحياز أمامي مستمر على وصلة الباعث - القاعدة، وانحياز عكسي على وصلة المجمع [/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] القاعدة، عند ذاك تسبب التغيرات البسيطة في تيار القاعدة (دخل الترانزيستور) مرور تيار أعلى في مجمع الترانزيستور (دارة الخرج). وينشأ كبر التيار في الخرج نتيجة التفاوت الكبير في تركيز الشحنات الأساسية في طبقتي الباعث والقاعدة. وعلى هذا الأساس يحصل تكبير التيار في هذا النوع من الترانزيستورات وبالتالي تكبير الجهد وتكبير الاستطاعة.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ولكي يعمل الترانزيستور قاطعاً إلكترونياً (في الدارات الرقمية والتمثيلية) تكون وصلة المجمع - القاعدة بحالة انحياز عكسي، وتترك القاعدة حرة ليطبق عليها واحد من مستويي جهد [/F**T]V[F**T=Simplified Arabic]، أي انحياز عكسي لوصلة الباعث [/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] القاعدة، ويكون عندها الترانزيستور بحالة قطع [/F**T]cut-off[F**T=Simplified Arabic]،[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T][F**T=Simplified Arabic]أو تطبيق جهد قاعدة أمامي عالٍ [/F**T]high level[F**T=Simplified Arabic] كاف لنقل الترانزيستور إلى حالة الإشباع [/F**T]saturati**[F**T=Simplified Arabic] أي حالة الوصل [/F**T]** state[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ولكي يعمل الترانزيستور عمل مقاومة محكومة، يمرر تيار قاعدة معين ضمن المنطقة الفعالة لخواص الترانزيستور للحصول على تيار مجمّع معين، أي مقاومة معينة بين طرفي المجمع والباعث. إن استخدام الترانزيستور في هذا النمط الثالث من العمل قليل نسبياً، ويفضل عليه الترانزيستور ذو التأثير الحقلي.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ب [/F**T][F**T=Simplified Arabic]-[/F**T][F**T=Simplified Arabic] الترانزيستور ذو التأثير الحقلي [/F**T]FET[F**T=Simplified Arabic]: قام عدد من الباحثين قبل اكتشاف هذا الترانزيستور، بدراسة التأثير الحقلي، بمعنى تغير ناقلية جسم صلب نتيجة تطبيق حقل كهربائي عبره. [/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]في الواقع كان يجري العمل على ابتكار هذا الترانزيستور في الوقت نفسه الذي تم فيه تطوير الترانزيستور [/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic] تقريباً. كان النموذج الأول لهذا الترانزيستور هو الترانزيستور ذو التأثير الحقلي ذو الوصلة [/F**T]JFET[F**T=Simplified Arabic] والذي تم اقتراحه من قبل الباحث شوكلي [/F**T]Shockly[F**T=Simplified Arabic] عام[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T][F**T=Simplified Arabic]1951. تم بعد ذلك تطوير نوع آخر من هذه الترانزيستورات أكثر استقراراً وأفضل في تطبيقات الدارات الرقمية، وهو الترانزيستور [/F**T]MOSFET[F**T=Simplified Arabic] الذي أعلن عنه في بداية عام[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T][F**T=Simplified Arabic]1960 في مختبرات [/F**T]Bell[F**T=Simplified Arabic] من قبل الباحثين كانغ [/F**T]Kahng[F**T=Simplified Arabic] وعطا الله [/F**T]Atalla[F**T=Simplified Arabic]. تم بعد ذلك تطوير هذه الترانزيستورات وتحسين خواصها حتى وصلت إلى ما هي عليه في الوقت الحاضر.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]يختلف الترانزيستور [/F**T]FET[F**T=Simplified Arabic] عن الترانزيستور [/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic] في بعض الخصائص المهمة الآتية:[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ـ يعتمد الترانزيستور [/F**T]FET[F**T=Simplified Arabic] على تدفق حوامل شحنات ذات قطبية واحدة (موجبة أو سالبة) لذلك يدعى بالوسيلة أحادية القطبية [/F**T]unipolar device[F**T=Simplified Arabic]، بينما يعد الترانزيستور [/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic] وسيلة ثنائية القطبية [/F**T]bipolar device[F**T=Simplified Arabic] لأنه يعتمد على تدفق حوامل شحنات موجبة وسالبة معاً.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ـ يشغل الترانزيستور [/F**T]FET[F**T=Simplified Arabic] فراغاً أقل داخل الدارة المتكاملة [/F**T]IC[F**T=Simplified Arabic]. وبالتالي فإن كثافة التعبئة [/F**T]packaging density[F**T=Simplified Arabic] له عالية جداً، وهو ما يجعله مفضلاً في صناعة ما يسمى الدارات الإلكترونية الصغرية [/F**T]microelectr**ic[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ـ يعد عمل هذا الترانزيستور كمقاومة محكومة بالجهد [/F**T]VCR[F**T=Simplified Arabic] ميزة كبيرة، الأمر الذي يجعل نظام الدارة المتكاملة الرقمي مشتملاً على وسائل [/F**T]MOS[F**T=Simplified Arabic] من دون أي عناصر أخرى كالمقاومات مثلاً.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ـ يمكن لهذا الترانزيستور أن يعمل كقاطع ثنائي الجانب متناظر، وهي ميزة غير موجودة في الترانزيستور ثنائي القطبية.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ـ مقاومة دخله عالية جداً مما يجعله قادراً على تخزين شحنات (معلومات) لفترة طويلة نسبياً إضافة إلى أن مكثفة دخله صغيرة. أي إن الثابت الزمني لدارة دخله عالية. [/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ـ تعد هذه الوسيلة ذات ضجيج أقل من الـ [/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]ـ لا[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T][F**T=Simplified Arabic]يسبب أي انزياح في الجهد [/F**T]offset[F**T=Simplified Arabic] عند عدم مرور تيار فيه مما يجعله وسيلة جيدة في تطبيقات تقطيع الإشارة [/F**T]chopping[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]للترانزيستور [/F**T]FET[F**T=Simplified Arabic] سيئة رئيسة هي صغر جداء الكسب بعرض المجال مقارنة مع الـ[/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic] مما يقلل من أهميته في تكبير الإشارات ذات التردد العالي.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]يتشكل الترانزيستور [/F**T]JEFT[F**T=Simplified Arabic] من قضيب من السيليكون نوع [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic] (النوع ذي القنال [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic])، يسمى أحد طرفيه المنبع [/F**T]S[F**T=Simplified Arabic] والثاني المصرف [/F**T]D[F**T=Simplified Arabic] تتشكل على جانبي القضيب السيليكوني منطقتان من النوع [/F**T]p[F**T=Simplified Arabic] موصولتان معاً بطرف واحد يدعى البوابة [/F**T]G[F**T=Simplified Arabic]. يمكن تشكيل ترانزيستور ذي قنال [/F**T]p[F**T=Simplified Arabic] بعكس أنواع المواد السابقة [/F**T]n,p[F**T=Simplified Arabic] بأسلوب مماثل.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]تطبق على كلا النوعين وحدة تغذية مستمرة بين المصرف والمنبع فيمر تيار وحيد الحوامل ضمن ما يسمى بالقنال (المحصورة بين طرفي البوابة). ويطبق انحياز عكسي على البوابة. عند تطبيق إشارة على دخل الترانزيستور ( البوابة) يتشكل حقل كهربائي يؤثر في عرض القنال زيادة أو نقصاناً ليسمح بمرور تيار أعلى أو أقل، ويُحصل بالتالي على إشارة مكبرة في الخرج. إن تأثير الحقل الكهربائي على مرور التيار في القنال هو السبب في تسمية هذه الوسيلة بالترانزيستور ذي التأثير الحقلي.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]من جهة أخرى، يتشكل الترانزيستور [/F**T]MOSFET[F**T=Simplified Arabic] الرئيسي (نوع [/F**T]enhancement[F**T=Simplified Arabic] إغناء) أساساً من السيليكون نوع [/F**T]p (NMOSFET)[F**T=Simplified Arabic]. يتم إدخال منطقتين في طرفيه من النوع [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic] تشكلان المصرف والمنبع. يوضع فوق هاتين الطبقتين مادة شديدة العازلية من ثاني أكسيد السيليكون [/F**T](SiO2)[F**T=Simplified Arabic] [/F**T][F**T=Simplified Arabic]يعلوها طبقة معدنية تشكل البوابة. إن الفرق الرئيسي لهذا النوع عن الترانزيستور [/F**T]JFET[F**T=Simplified Arabic] هو أن مقاومة دخل الأول أعلى بكثير. [/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]إن معظم تطبيقات الترانزيستورات [/F**T]JFET[F**T=Simplified Arabic] تكون في نمط التكبير ونمط المقاومة المحكومة بالجهد، بينما تكون معظم تطبيقات الترانزيستورات [/F**T]MOSFET[F**T=Simplified Arabic] في نمط القطع [/F**T]switching[F**T=Simplified Arabic] وهي تشكل معظم أنواع [URL="http://www.arab-ency.com/index.php?module=pnEncyclopedia&func=display_term&id=5333&vid=17"]الدارات المتكاملة[/URL] الرقمية الموجودة في السوق التجارية.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]يبين الشكل [/F**T][F**T=Simplified Arabic](6)[/F**T][F**T=Simplified Arabic] رسماً تخطيطياً مبسطاً لترانزيستور نوع [/F**T]JFET[F**T=Simplified Arabic] ذي قنال [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic] ، ويبين الشكل [/F**T][F**T=Simplified Arabic](7)[/F**T][F**T=Simplified Arabic] رسماً تخطيطياً لترانزيستور [/F**T]MOSFET[F**T=Simplified Arabic] ذي قنال [/F**T]n[F**T=Simplified Arabic] أيضاً.[/F**T]
[CENTER] [IMG]http://www.arab-ency.com/servers/gallery/4989-1.jpg[/IMG][IMG]http://www.arab-ency.com/servers/gallery/4989-5.jpg[/IMG][CENTER][B][F**T=Simplified Arabic]الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic]([/F**T][F**T=Simplified Arabic]6[/F**T][F**T=Simplified Arabic])[/F**T][/B]
[B][F**T=Simplified Arabic]الشكل[/F**T][F**T=Simplified Arabic]([/F**T][F**T=Simplified Arabic]7[/F**T][F**T=Simplified Arabic])[/F**T][/B][/CENTER]
[/CENTER]
[B][F**T=Simplified Arabic]الدارات المتكاملة [/F**T]IC[F**T=Simplified Arabic] [/F**T][/B]
[F**T=Simplified Arabic]انتشرت في الآونة الأخيرة صناعة [URL="http://www.arab-ency.com/index.php?module=pnEncyclopedia&func=display_term&id=5333&vid=17"]الدارات المتكاملة[/URL] [/F**T]Integrated Circuits[F**T=Simplified Arabic] التي يرمز لها اختصاراً [/F**T]IC[F**T=Simplified Arabic]، وهي رقاقات سيليكونية مزروع عليها وسائل نصف ناقلة تشمل وسائل الـ [/F**T]BJT[F**T=Simplified Arabic] والـ [/F**T]FET[F**T=Simplified Arabic] لتشكيل أنظمة إلكترونية معقدة تمثيلية [/F**T]analog[F**T=Simplified Arabic] أو رقمية [/F**T]digital[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic]تم ابتكار النماذج الأولية التجارية لهذه الدارات في عام[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T][F**T=Simplified Arabic]1961 من قبل شركتي [/F**T]Texas Instrument[F**T=Simplified Arabic] و[/F**T]Fairchild[F**T=Simplified Arabic] ثم تبعتها شركات أخرى. يتم في الوقت الحاضر صناعة دارات متكاملة تحتوي الواحدة منها على أكثر من مليون ترانزيستور مزروع على الشريحة السيليكونية ذاتها لتحقيق أنظمة رقمية عالية الأداء تقع ضمن ما يسمى بالتكامل فوق الواسع [/F**T]Ultra Large Scale Integrati** (ULSI)[F**T=Simplified Arabic]، مثل دارات الـ [/F**T]CPLD[F**T=Simplified Arabic] والـ [/F**T]FPGA[F**T=Simplified Arabic].[/F**T]
[B][F**T=Simplified Arabic]تطبيقات ورؤية مستقبلية[/F**T][/B]
[F**T=Simplified Arabic]إن تطبيقات الدارات الإلكترونية لا[/F**T][F**T=Simplified Arabic] [/F**T][F**T=Simplified Arabic]حدود لها بدءاً من أنظمة التكبير والقياس إلى أنظمة المعالجة الرقمية و[URL="http://www.arab-ency.com/index.php?module=pnEncyclopedia&func=display_term&id=3248&vid=17"]التحكم[/URL] وصناعة الحواسيب الرقمية الشخصية [/F**T]PC[F**T=Simplified Arabic] والحواسيب الكبيرة الرئيسة.[/F**T]
[F**T=Simplified Arabic] في الواقع يعتمد تحسين أداء الدارات والأنظمة الإلكترونية بصورة أساسية على تطوير صناعة الدارات الإلكترونية الصغرية التي تتطور بسرعة مذهلة حتى أصبح يكتب اليوم في الأدبيات العلمية الهندسية الحديثة ما يسمى بالنانوإلكترونيك [/F**T]Nanoelectr**ic[F**T=Simplified Arabic] وهو تجميع كبير جداً لعناصر نصف ناقلة على شريحة سيليكونية واحدة في نظام عمل معين.[/F**T]
[LEFT][B][F**T=Simplified Arabic]عبد الرزاق البدوية[/F**T][/B][/LEFT]

المصدر : الموسوعه العربية